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美国国家半导体公司突破性直接射频采样ADC彻底改变无线电架构

发布时间:2020-07-01 01:13:35 阅读: 来源:阳离子咪唑啉厂家

美国国家半导体公司(National Semiconductor Corp.)(美国纽约证券交易所上市代码:NSM)宣布推出全新系列模数转换器(ADC),新产品实现了业界首次对超过2.7 GHz射频信号的直接采样,同时具有-71dBc的三阶互调失真(IMD3)性能和高达每秒3.6千兆次(GSPS)的采样速率。 ADC12Dxx00RF系列包括五个12位ADC,有助于系统设计人员省去多个中间频率(IF)下变频段部件,包括放大器、混频器和滤波器等。用一个ADC12Dxx00RF可以取代整个无线电信号路径子系统,大大降低3G/4G无线基站以及微波回程、军事和宽带软件无线电(SDR)应用的材料清单(BOM)成本,减小了电路板尺寸和重量。

本文引用地址: 美国国家半导体公司高速信号路径部营销总监Jon Baldwin表示:“无线电设计人员正在寻求新的方法来增加无线容量,同时降低成本、尺寸和重量。基于射频采样ADC的架构提供了上述优势,但一直以来人们都认为这项技术距离实际应用还要几年时间。凭借其空前的高频动态范围和业内最高的采样速率,ADC12Dxx00RF系列ADC为客户提供了一种核心技术,使他们可以开发直接射频采样无线电。”

作为美国国家半导体公司领先的GSPS ADC系列的新一员,ADC12Dxx00RF ADC与早先产品全部引脚兼容,可以实现从每秒500百万次采样(MSPS)至3.6 GSPS的便捷升级路径:

ADC12D1800RF提供单通道高达3.6 GSPS的交叉采样速率,或者双通道1.8 GSPS的采样速率,在2.7 GHz条件下IMD3为-64 dBc。 ADC12D1600RF提供单通道高达3.2 GSPS的交叉采样速率,或者双通道1.6 GSPS的采样速率,在2.7 GHz条件下IMD3为-70 dBc。 ADC12D1000RF提供单通道高达2.0 GSPS的交叉采样速率,或者双通道1.0 GSPS的采样速率,在2.7 GHz条件下IMD3为-69 dBc。 ADC12D800RF提供单通道高达1.6 GSPS的交叉采样速率,或者双通道800 MSPS的采样速率,在2.7 GHz条件下IMD3为-71 dBc。 ADC12D500RF提供单通道高达1.0 GSPS的交叉采样速率,或者双通道500 MSPS的采样速率,在2.7 GHz条件下IMD3为-69 dBc。

这些直接射频采样ADC在所有频段表现出的优异线性性能为其他组件带来更多的系统余量,以降低对其他组件的性能要求,同时节省成本和设计时间。为了形成一个完整的信号路径解决方案,ADC12Dxx00RF ADC可与美国国家半导体公司的双通道、数字控制可变增益放大器(DVGA)或LMH6554全差分放大器,以及LMX2541频率合成器或美国国家半LMK04800时钟抖动消除器配合使用。

封装及供货情况

美国国家半导体的全部五款12位射频采样ADC现已上市,均采用引脚兼容的热增强型292焊点BGA封装。

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